我公司提供的MEMS设计软件IntelliSuite是MEMS(微电子机械系统)、微纳米领域设计、仿真及分析专业软件工具，能够进行微结构的三维建模、版图设计、工艺过程模拟、可实现器件级、工艺级、系统级分析。能利用有限元、边界元等方法对微结构进行分析及对多物理量(场)耦合分析，包括机械性能、受力、形变、热学特性、温度应力、热电效应、电流、电压、压电、压阻、电磁、微流体等现象的静态、动态、频率、阻尼、稳态和瞬态分析。

1、ItelliFab 工艺流程编辑器

结合材料、版图和工艺流程，可输出到FabSim模块创建器件的三维虚拟模型，输出到TEM模块进行分析。

• 完整的MEMS工艺流程，包括沉积、蚀刻、键合、掺杂和电镀等工艺。用户可添加自有工艺;

• 支持标准流片工艺，如MUMPS,SCREAM,SUMMIT,Bosch Surface Micromachining ,LIGA等。用户可创建自有工艺模板;

• 支持II-V族化合物半导体工艺;

• 支持复合版图光刻工艺;

• 支持SOl 材料，支持电阻率与方块电阻参数同步，支持SiO2 参数自动估算;

• 图形化的硅和石英的湿法刻蚀速率编辑功能;

• 支持输出Excel格式工艺流程单;

• 结合FabSim模拟任意I艺步骤后器件的三维模型;

• 结合TEM分析对器件的影响，实现更精确的多物理场模拟;

• 动画形式显示工艺过程; 

• 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型;

• 支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括:各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等;

• 采用体素图形学技术， 更加逼真的演示三维复杂器件结构;

• 采用体绘技术，通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息;

• 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程;

• 采用高精度物理仿真算法，支持淀积、光刻，刻蚀、氧化注入等MEMS、IC 工艺，更加接近真实工艺过程;

• 支持高精度模式和快速模式仿真，同时提供GPU加速功能;

• 基于高精度扩散方程的深反应粒子刻蚀算法;

• 基于高精度LevelSet的湿法各向异性刻蚀算法，支持多种材料，扩展性强;

• 支持 IVV族半导体(InP)等多种化合物半导体工艺物理仿真;

• 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺;

• 三维体素图形显示技术，支持按工艺分层显示，方便观察器件内部结构信息;

• 支持网格导出，可与分析模块无缝连接;

• 支持PPT、AVI、 JPG、 rawiv 等多种格式输出;

4. Inelitch 高级干湿法刻蚀模块

• 基于原子模型的精 确湿法刻蚀工艺模拟;

• 集成DRIE和多次掩膜复合工艺功能;

• 基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型;

• 完备的刻蚀工艺数据库，面向用户的开放的接口;

• 可定义和切割任意高指数晶面;

• 精确描述腐蚀表面形貌;

• 兼容IntelliMask版图文件和Bmp 掩膜文件;

• 输出FEM网格数据;

• 基于GPU大规模并行计算的ItelliEtchG;

• Wagon Wheel Analyzer硅刻蚀速率提取工具;

• Etch Rate Visualizer / CCA calibrator硅刻蚀速率可视化及校准工具;

• Wagon Wheel Analyzer II石英刻蚀速率提取工具;

   

5. AnisE 湿法蚀刻模块

• 晶片的顶部、底部和双面蚀刻;

• 多重截止层和单一晶片 上不同掩模的多次蚀刻;

• 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术;

• 预测蚀刻剂温度、 浓度及蚀刻时间对器件外形的影响;

• TMAH和KOH蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率; 

• 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响;

• 三维图形和横截面可视;

• 测量蚀刻后 晶片任意两点间的距离和角度;

6. RECIPE 干法蚀刻模块

模拟RIE/ICP(Bosch Process)工艺，清晰反映加工工艺如何影响产品成型。
可调节侧边的圆齿、粗糙度及周期;

• RIE和DRIE 的lag 效应;

• 模拟最终实体形貌、侧面角度;

• 考虑掩膜影响;

• 为特定截面创建工艺参数可调整的结构;

• 支持Footing 效应模拟;

• 支持工艺参数计算;

• DRIE刻蚀速率及深宽比校准工具;

7. Exposure 光刻仿真模块
模拟MEMS厚胶物理光刻工艺，采用物理仿真算法与物理模型精细反应SU8等厚胶光刻效果。

• 支持影像成型、 曝光、后烘、显影四大步骤模拟;

• 精细的曝光前后光照模型;

• 支持多层mask文件版图设置;

• 支持三维显示结果精细测量; 

当前全面的薄膜材料数据库和工艺优化工具,提供工艺参数和器件特性间的重要联系。

• 包含多达70余种、基于真实工艺过程得到的MEMS常用薄膜材料属性，使模拟结果更加精确;

• 允许用户添加和自定义材料;

• 通过InteliFab 模块直接将材料属性输出到TEM分析模块;

• 优化工艺;

• 多层版图编辑功能；

• 可对版图进行布尔运算;

• 形状和拓扑学的结合;

• 自动生成器件结构版图;

• 能读取BMP,JPG,PNG等图片格式的文件; .

• 能通过已有层按照一定的规则自动产生一系 列新的单元至指定层;

• 对顶点数过多的多边形进行自动简化与切割;

• 能够绘制椭圆、弧形、不规则曲边和正弦曲线等复杂版图;

• 参数脚本编辑功能:改变器件参数，可以快捷、方便地修改器件结构,大大缩短设计时间;

• 各类常见MEMS器件版图脚本数据库，包含各种MEMS传感器、执行器、封装、测试和压力器件;

• 修改或创建新的参数脚本;

• 使用基于单元的VBS脚本创建复杂版图;

• 完整的GDSII 文件转化功能;

• 兼容业界主流文件格式GDSI,MSK,DXF;

• 支持DESIGN RULE CHECK;

• 支持对版图进行各种布尔操作，可以很方便地创建复杂的结构;.

• 完全支持CELL 层状结构;

• 三维结构的工艺过程预览;

• 提供Measurementand Dimensioning Tools，可以很方便地对版图进行标注;

• 直角坐标和极坐标格点辅助创建器件的优化模型;

• 对齐网格或对齐点(包括中点、交点和分割点等);

• 输入版图(GDS， DXF或VEC格式)优化模型;

• 对指定部分进行网格细分，如蛛网式、拉链式和发散式等;

• 兼容ANSYS、ABAQUS、PATRAN、 I-DEAS 格式;

• 能求解大规模矩阵; .

• 方便地修改结构厚度和间隙;

• 自动验证网格质量与正确性;

• 由二维版图直接生成模型并划分成六面体网格;

• 自动校正不连通的网格(网格数量较少的情况下);

• 建立斜面网格;

11. ThermoElectroMechanical 热-电机械耦合分析模块
可进行静态、动态、瞬态和频域等不同类型下热、静电、机械、热_机-电耦合、流-固耦合分析。

• 定义应力梯度，在回旋装置中加入科里奧利力;

• 变化的FEA问题，独特的EFM功能;

• 有限元、边界元求解器;

• 高精度静电驱动装置模型;

• 兼容ANSYS, PATRAN, IDEAS;

• 使用IneliFab 模块生成有限元模型或者用3DBuilder 生成元件三维模型;

• 计入热导率、电阻率、热膨胀系数、密度与温度的关系;

• 接触分析、压电、压阻和封装分析;

• 精确的机电耦合动态分析，实现基于真实三维器件结构的动态机电耦合模拟;

• 扩展的压电分析功能，在电压负载外计入电荷密度,可研究压电结构的开路性能，

• FBAR/SAW/BAW设计者能够通过该模块快速地计算串行和并行谐振，进而计算耦合因子;

• 压电瞬态、动态模拟包含瞬态电压差分输入、瞬态电荷密度输入及SqueezeFilm的影响;

• 指定模式的本征频率分析;

• 完整有限元模型能通过一-种降阶方法得到-一个简化模型,该模型能用于系统级分析。

• 此降阶方法基于Arnoldi 降阶方法，拉格朗日力学和模式叠加得到;

• 宏模型特性提取，自动生成N自由度的系统模型.完整记录非线性动态行为，包括谐波和子谐波响应;

• 创建用于电子学的刚体模型,或包含二阶效应(寄生效应，非线性形变，温度效应以及封装效应)的高阶模型，用于设计补偿型电器元件;

• 提供32、64位求解器，支持SMP多核并行计算; .

• 温差电动势 Seebeck效应的静力计算;

• 磁致伸缩效应的静力、 频率、动力分析计算;

12. ParameterAnalysis 参数化分析模块
可定制的参数化分析工具，从版图生成、三维模型网格建立、边界和负载设置，直至分析和后处理，生成分析报告。

• 无人值守的参数化分析;

• 尺寸参数化;

• 负载参数化;

• 标准单元版图库;

• 可自定制单元和版图;

• 一键式三维网格建立;

• 自动边界和负载添加;

• 最终的结果报告，可提取任一 指定参数下的结果;

• 可生成不同参数情况下结果的比较图表;

• 微通道流动;

• 电驱动流(电渗、电泳);

• 介电泳(双向电泳); 

• 电场中离子驱动流; 

• 电润湿(电力场液滴表面张力驱动模拟)、自由表面流动;

• 定义滑动边界条件，可模拟塞状流;

• 电场作用下酸、碱以及弱电解质的混合、分离流动;

• 对流换热效应;

• 使用分块贴体坐标，能精确描述复杂几何模型，解决移动边界问题;

• MEMS精确全波分析;

• 真实形变结构分析;

• 采用 国际流行的有限元分析求解器;

• 精确的边界条件设置;

• 自动空气填充; .

• 功能强大的自适应四面体划分;

• 丰富的电磁材料库;

• 多种矩阵方程求解器可供选择，包括CG和GMRES;

• 支持多核并行计算; .

• S参数的提取;

• 阻抗矩阵的提取;

• 电场、磁场的三维显示;

• Smith圆图;

• 支持其他相关工业格式(比如ACIS 文本格式);

• 数据格式与InelliSuite 其他模块兼容;

• 良好的可拓展性框架，能够十分便捷地增加新单元;

• 灵活的单元定义方式，无需学习新的语言;

• 无需花费大量时间计算Jacobian行列式，计算速度明显优于传统数值方法;

• 预先设有包含模拟、数字、数模混合、机械以及MEMS元件的单元库。并且还在不断地更新中;

• 创新的SME(系统模型提取)能够系统地分析MEMS器件动力学特性，提取器件特征参数，能够将-一个大型的FEA 模型转化成-一个精确的N自由度能量模型，导入到SYNPLE模块中进行模拟，最终获得与全FEA分析一致的结果，而计算速度大大提高;

• 特别针对MEMS陀螺仪、加速度计等惯性器件开发的mEFM(多重表面网格划分)

• 算法可高效、精确地分析复杂梳齿结构特性参数，大大提高运算效率;

• 基于Jiles-Atherton模型和二次畴转模型，考虑变化磁场的滞回效应，开发出磁机械耦合和磁压电耦合的MEMS单元;