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使用Si (100) 晶片的工艺仿真范例

  • 分类:软件案例
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2022-07-03
  • 访问量:967

使用Si (100) 晶片的工艺仿真范例

【概要描述】

  • 分类:软件案例
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  • 发布时间:2022-07-03
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使用Si (100) 晶片制作八边形结构

 

Si(100) 晶片在KOH溶液中的腐蚀速率分布:

根据下图中的速率分布,从(100)方向进行蚀刻所形成的结构具有四个稳定平面(参见红色圆圈),所得截面为四边形。为了构造一个八边形,我们需要找到四个子级别的稳定平面(请参阅蓝色圈)。

 

版图设计:

在这个想法的指导下,我们设计了一个十字形的版图结构。通过适当地控制腐蚀时间,使四个次要稳定面和四个主要稳定面同时出现,从而形成八边形截面(底孔)。

 

腐蚀结果:

下面的图片分辨从正面和背面展示了Si(100) 晶片腐蚀后的结构。

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