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AnisE 湿法蚀刻模块
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AnisE 湿法蚀刻模块

功能简介： 基于原子模型的精确湿法刻蚀工艺模拟;集成DRIE和多次掩膜复合工艺功能；基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型；完备的刻蚀工艺数据库，面向用户的开放的接口；
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产品编号
所属分类
工艺级
数量
-
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1
产品描述
技术参数

AnisE — wet etch simulation

Feature highlights

• Real time etching

• 100, 110 wafers

• Multiple etch stops

• Single/double sided etch

• Built-in etch database

• Direct geom. measurement

• Process deviation studies

 

AnisE 湿法蚀刻模块

 

Real world simulation capability

 

AnisE 湿法蚀刻模块

未找到相应参数组，请于后台属性模板中添加

先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和TMAH各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。

◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻;

◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻;

◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术;

◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响;

◆ TMAH和KOH蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率;

◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响;

◆ 三维图形和横截面可视;

◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度。

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IntelliEtch高级干湿法刻蚀模块

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