IntelliSuite软件

器件级

可进行静态、动态、瞬态和频域等不同类型下热、静电、机械、热-机-电耦合、流-固耦合分析。

工艺级

结合材料、版图和工艺流程,创建器件的三维虚拟模型,输出到TEM模块进行分析。

系统级

应用于多领域、多尺度的MEMS和纳米技术系统级设计工具,是有效进行的CMOS-MEMS的器件、电路综合设计的优良工具,可以实现MEMS-IC整体设计。与IntelliSuite其它模块结合,构建具有创造性的系统综合设计平台。

建模工具

设计工具有:高级版图编辑模块、设计规则检查工具、三维建模模块和网格划分工具。

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  • 名称: AnisE 湿法蚀刻模块
  • 功能简介: 先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和TMAH各向异性蚀刻仿真结果,还可用于复杂版图及长时间蚀刻。

 

​AnisE — wet etch simulation

Feature highlights        

 

• Real time etching        

• 100, 110 wafers          

• Multiple etch stops      

• Single/double sided etch

• Built-in etch database  

• Direct geom. measurement

• Process deviation studies

 
 
 
 
Real world simulation capability
 

先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和TMAH各向异性蚀刻仿真结果,还可用于复杂版图及长时间蚀刻。

◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻;

◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻;

◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术;

◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响;

◆ TMAH和KOH蚀刻速率数据库,用户也可自定义蚀刻速率;

◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响;

◆ 三维图形和横截面可视;

◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度。