使用Si (100) 晶片的工艺仿真范例
2022-07-03 19:00
使用Si (100) 晶片制作八边形结构
Si(100) 晶片在KOH溶液中的腐蚀速率分布:
根据下图中的速率分布，从（100）方向进行蚀刻所形成的结构具有四个稳定平面（参见红色圆圈），所得截面为四边形。为了构造一个八边形，我们需要找到四个子级别的稳定平面（请参阅蓝色圈）。
版图设计：
在这个想法的指导下，我们设计了一个十字形的版图结构。通过适当地控制腐蚀时间，使四个次要稳定面和四个主要稳定面同时出现，从而形成八边形截面（底孔）。
腐蚀结果：
下面的图片分辨从正面和背面展示了Si(100) 晶片腐蚀后的结构。
