使用Si (111) 晶片的工艺仿真范例


2022-07-04 13:33

使用Si (111) 晶片制作八边形结构

 

Si(111) 晶片在KOH溶液中的腐蚀速率分布:

与(100)晶向类似,根据下图中的速率分布,从(111)晶向进行蚀刻形成的结构具有三个稳定平面(请参见红色圆圈),截面为三角形。如果蚀刻时间合适,则还可以保留底面(背面)的三个稳定平面,这样就可以获得六边形。但是如果要获得八边形,这是一个非常困难的过程。您需要仔细设计布局,结合一些不稳定的平面以获得所需的结构,这也意味着蚀刻时间也需要非常精确的控制。

 

 

版图设计:

根据以上分析,我们设计了如下所示的布局。通过适当地控制蚀刻时间,两个不稳定平面和主要的六个稳定平面同时出现,并且可以获得八边形截面。如果继续蚀刻,八边形将变成六边形。

 

腐蚀结果:

下面的图片展示了腐蚀结果随时间的变化过程。

 

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