◆ 基于原子模型的精确湿法刻蚀工艺模拟;
◆ 集成 DRIE 和多次掩膜复合工艺功能;
◆ 基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型;
◆ 完备的刻蚀工艺数据库，面向用户的开放的接口;
◆ 可定义和切割任意高指数晶面;
◆ 精确描述腐蚀表面形貌;
◆ 兼容 IntelliMask 版图文件和 Bmp 掩膜文件;
◆ 输出 FEM 网格数据;
◆ 基于 GPU 大规模并行计算的 IntelliEtchG;
◆ Wagon Wheel Analyzer 硅刻蚀速率提取工具;
◆ Etch Rate Visualizer / CCA calibrator 硅刻蚀速率可视化及校准工具;
◆ Wagon Wheel Analyzer II 石英刻蚀速率提取工具;
Simulation and experimental results of sapphire (Al2O3)
concentrated sulfuric acid98% & Concentrated phosphoric acid 86%(volume3:1)
orientation<0001>, temperature: 236 C°, time: 180 minutes
More and complicated material wet etching (eg. quartz)
Added various etch rate database for Quartz
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