先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。
◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻;
◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻;
◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术;
◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响;
◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率;
◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响;
◆ 三维图形和横截面可视;
◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度;
Comparison between experiment(top) and simulation (bottom)
Comparison between experiment(top) and simulation (bottom)
Wet etching is affected by temperature, etchant concentration and other parameters.
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