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关键词：
模拟MEMS厚胶物理光刻工艺，采用物理仿真算法与物理模型精细反应SU8等厚胶光刻效果。 ◆ 支持影像成型、曝光、后烘、显影四大步骤模拟; ◆ 精细的曝光前后光照模型; ◆ 支持多层mask文件版图设置; ◆ 支持三维显示结果精细测量。
关键词： 工艺级exposure光刻物理支持
精准的三维工艺物理模拟工具。 ◆ 模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程； ◆ 支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等； ◆ 高精度模式和快速模式两种仿真模式可选； ◆ Si DRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块，历经丰富的实践验证； ◆ 支持III-V族半导体(InP)等多种化合物半导体物理仿真工艺. ◆ 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺 ◆ 基于GPU大规模并行计算 ◆ 采用体素绘制技术，支持旋转、平移、缩放、剖面等功能 ◆ 支持按工艺分层显示，方便观察器件内部结构信息； ◆ 支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。
关键词： 工艺级工艺支持仿真模式各向同性simulation半导体器件process三维
基于三维体素操作的强大的工艺演示工具。 ◆ 动画形式显示工艺过程； ◆ 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型； ◆ 支持绝大多数 MEMS 工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及 CMOS 工艺中的氧化/注入等； ◆ 采用体素图形学技术，更加逼真的演示三维复杂器件结构； ◆ 采用体绘技术，通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息； ◆ 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程；
关键词： 工艺级工艺三维器件刻蚀
先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。 ◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻； ◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻； ◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术； ◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响； ◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率； ◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响； ◆ 三维图形和横截面可视； ◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度；
◆ 基于原子模型的精确湿法刻蚀工艺模拟； ◆ 集成 DRIE 和多次掩膜复合工艺功能； ◆ 基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型； ◆ 完备的刻蚀工艺数据库，面向用户的开放的接口； ◆ 可定义和切割任意高指数晶面； ◆ 精确描述腐蚀表面形貌； ◆ 兼容 IntelliMask 版图文件和 Bmp 掩膜文件； ◆ 输出 FEM 网格数据； ◆ 基于 GPU 大规模并行计算的 IntelliEtchG； ◆ Wagon Wheel Analyzer 硅刻蚀速率提取工具； ◆ Etch Rate Visualizer / CCA calibrator 硅刻蚀速率可视化及校准工具； ◆ Wagon Wheel Analyzer II 石英刻蚀速率提取工具；
结合材料、版图创建器件的工艺流程，并可输出到FabSim模块生成三维虚拟模型，输出到TEM模块进行分析。 ◆ 完整的MEMS工艺流程，包括沉积、光刻、刻蚀、键合、电镀等工艺。用户可添加自有工艺； ◆ 支持标准MEMS工艺，如MUMPS, SCREAM, SUMMIT, LIGA, Bosch Surface Micromachining等。 ◆ 用户可创建自有工艺； ◆ 图形化的硅和石英等材料的各向异性湿法刻蚀速率展示与调节工具 ◆ 支持SOI材料，支持电阻率与方块电阻参数同步; ◆ 支持输出Excel格式工艺流程单 ◆ 结合FabSim模拟工艺流程生成的器件的三维模型； ◆ 结合TEM分析对器件的影响，实现更精确的多物理场模拟；
当前最全面的薄膜材料数据库和工艺优化工具，提供工艺参数和器件特性间的重要联系。 ◆ 包含多达70余种、基于真实工艺过程得到的 MEMS 常用薄膜材料属性，使模拟结果更加精确； ◆ 允许用户添加和自定义材料； ◆ 通过 IntelliFab 模块直接将材料属性输出到 TEM 分析模块； ◆ 优化工艺；
模拟 RIE/ICP(Bosch Process) 工艺，清晰反映加工工艺如何影响产品成型。 ◆ 可调节侧边的圆齿、粗糙度及周期； ◆ RIE 和 DRIE 的 lag 效应； ◆ 模拟最终实体形貌、侧面角度； ◆ 考虑掩膜影响； ◆ 为特定截面创建工艺参数可调整的结构； ◆ 支持 Footing 效应模拟； ◆ 支持工艺参数计算； ◆ DRIE 刻蚀速率及深宽比校准工具；
可进行静态、动态、瞬态和频域等不同类型下热、静电、机械、热-机-电耦合、流-固耦合分析。 ◆ 有限元、边界元求解器； ◆ 兼容ANSYS,PATRAN,IDEAS； ◆ 使用IntelliFab模块生成有限元模型或者用3DBuilder生成元件三维模型； ◆ 定义应力梯度，在回旋装置中加入科里奥利力； ◆ 计入热导率、电阻率、热膨胀系数、密度与温度的关系； ◆ 接触分析、压电、压阻和封装分析； ◆ 精确的机电耦合动态分析，实现基于真实三维器件结构的动态机电耦合模拟； ◆ 压电瞬态、动态模拟包含瞬态电压差分输入、瞬态电荷密度输入及Squeeze Film的影响； ◆ 本征频率分析； ◆ 电容矩阵计算； ◆ 完整有限元模型能通过一种降阶方法得到一个简化模型，该模型能用于系统级分析。此降阶方法基于Arnoldi降阶方法，拉格朗日力学和模式叠加得到； ◆ 宏模型特性提取，自动生成N自由度的系统模型.完整记录非线性动态行为,包括谐波和子谐波响应； ◆ 提供32、64位求解器，支持SMP多核并行计算； ◆ 温差电动势Seebeck效应的静力计算； ◆ 磁致伸缩效应的静力、频率、动力分析计算。
可定制的参数化分析工具，从版图生成、三维模型网格建立、边界和负载设置，直至分析和后处理，生成分析报告。 ◆ 无人值守的参数化分析； ◆ 尺寸参数化； ◆ 负载参数化； ◆ 标准单元版图库； ◆ 可自定制单元和版图； ◆ 一键式三维网格建立； ◆ 自动边界和负载添加； ◆ 最终的结果报告，可提取任一指定参数下的结果； ◆ 可生成不同参数情况下结果的比较图表；
三维全波电磁场分析模块。 ◆ MEMS 精确全波分析； ◆ 真实形变结构分析； ◆ 采用国际流行的有限元分析求解器； ◆ 精确的边界条件设置； ◆ 自动空气填充； ◆ 功能强大的自适应四面体划分； ◆ 丰富的电磁材料库； ◆ 多种矩阵方程求解器可供选择，包括 CG 和 GMRES； ◆ 支持多核并行计算； ◆ S 参数的提取； ◆ 阻抗矩阵的提取； ◆ 电场、磁场的三维显示； ◆ Smith 圆图； ◆ 支持其他相关工业格式 (比如 ACIS 文本格式)； ◆ 数据格式与 IntelliSuite 其他模块兼容；
分析微流体，BioMEMS 领域微观现象的模块。 ◆ 微通道流动； ◆ 电驱动流（电渗、电泳）； ◆ 介电泳（双向电泳）； ◆ 电场中离子驱动流； ◆ 电润湿（电力场液滴表面张力驱动模拟）、自由表面流动； ◆ 定义滑动边界条件，可模拟塞状流； ◆ 电场作用下酸、碱以及弱电解质的混合、分离流动； ◆ 对流换热效应； ◆ 使用分块贴体坐标，能精确描述复杂几何模型，解决移动边界问题；
利用EDA Linker工具可将系统宏模型文件转化为HDL（硬件描述语言）文件，产生的HDL 文件可用于Cadence等IC 软件中进行仿真，从而实现MEMS-IC联合设计仿真。
创新的 SME（系统模型提取）能够系统地分析 MEMS 器件动力学特性，提取器件特征 参数，能够将一个大型的 FEA 模型转化成一个精确的 N 自由度能量模型，导入到 SYNPLE 模块中进行模拟，最终获得与全 FEA 分析一致的结果，而计算速度提高 1000 倍；
在近日举办的第九届中国系统级封装大会上，江苏英特神斯科技有限公司作为国内先进封装领域的代表性企业，受邀出席并发表主题演讲，聚焦三维封装技术面临的机遇与挑战，首次系统介绍了其自主研发的三维封装EDA解决方案，引发行业广泛关注。
IntelliSuite 3D package & Chiplet 三维封装设计套件（器件与封装版图设计、先进封装工艺流程设计、三维封装器件与结构三维可视化、先进封装器件与结构多物理场仿真）覆盖了完整三维封装设计流程。是 IC、MEMS、III-V族微光电系统、微纳米领域设计、仿真及分析专业软件工具。
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